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TEM氮化硅薄膜窗口

簡要描述:與X射(she)線用氮(dan)化(hua)(hua)硅窗(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)口(kou)類似,透射(she)電鏡(TEM)用氮(dan)化(hua)(hua)硅薄(bo)(bo)膜窗(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)口(kou)也(ye)使用低應力氮(dan)化(hua)(hua)硅薄(bo)(bo)膜基底。但整體(ti)尺度(du)更(geng)小(xiao),適合TEM裝樣的要(yao)求。窗(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)口(kou)有單窗(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)口(kou)和多窗(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)口(kou)陣列(lie)等不(bu)同規格。同時(shi)SHNTI也(ye)定制多孔氮(dan)化(hua)(hua)硅薄(bo)(bo)膜窗(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)口(kou)。

  • 產(chan)品(pin)型號:
  • 廠(chang)商性質(zhi):代理商
  • 更新時間:2017-05-14
  • 訪  問  量:4187
詳情介(jie)紹

:/admin@shnti.com

透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
產品概述:
與X射線用氮化硅窗口類似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

 

現在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產品,規格如下:
外框尺寸:

  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸(cun):1.0 mm,薄膜厚度:100 nm)
  • 窗(chuang)口類別(bie):雙縫(feng)、九窗(chuang)格(3×3陣列(lie))

邊框厚度: 200μm、381μm。 
Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶定制產品(30-200nm),但要100片起訂。
本產品為一次性產品,SHNTI不建議用戶重復使用,本產品不能進行超聲清洗,適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術指標:
表面平整(zheng)度:
我們認為薄膜與其下的(de)硅(gui)片同樣平(ping)整, TEM用(yong)氮化硅薄膜窗(chuang)口的表面(mian)粗糙度為:0.6-2nm。*適用(yong)于TEM表征。

親水性
該窗格(ge)呈疏水性,如果(guo)樣(yang)(yang)品取自水懸浮液,懸浮微粒則不能均(jun)勻(yun)地分布在薄膜上。用(yong)等離子蝕(shi)刻機(ji)對(dui)薄膜進行親水處(chu)理,可(ke)(ke)暫時獲(huo)得親水效果(guo)。雖然沒有(you)對(dui)其使用(yong)壽命進行過測試,但(dan)預期可(ke)(ke)以獲(huo)得與(yu)同(tong)樣(yang)(yang)處(chu)理的(de)鍍(du)碳TEM網格(ge)相當(dang)的(de)壽(shou)(shou)命(ming)。我(wo)們可(ke)以生產此種蝕(shi)刻窗格(ge),但無法保證其使(shi)用壽(shou)(shou)命(ming)。如(ru)果實驗室有蝕(shi)刻工具(ju)也可(ke)對其進行相應的(de)處理提高其親水性能。



溫度(du)特性(xing):
氮化硅薄膜窗口(kou)產(chan)品是耐高(gao)溫產(chan)品,能夠承受1000度高溫,非常(chang)適合(he)在其表面利用CVD方法生長各種納米材(cai)料。

化學(xue)特性:
氮(dan)化硅薄膜窗口是(shi)惰性襯底。

應(ying)用簡介和優點:
1
適合TEMSEMAFMXPSEDX等的對(dui)同(tong)一區域的交叉(cha)配對(dui)表征。
2
大窗口尺寸,適(shi)合(he)TEM大(da)角度(du)轉動(dong)觀察(cha)。
3
無(wu)碳、無(wu)雜質的清潔TEM觀測平臺。
4
背景氮化(hua)硅(gui)無(wu)定形(xing)、無(wu)特征。
5
耐高(gao)溫、惰性襯底(di),適應(ying)各種聚合物(wu)、納米(mi)材料(liao)、半導體材料(liao)、光學晶體材料(liao)和(he)功能(neng)薄膜(mo)材料(liao)的制備環境,(薄膜(mo)直接沉積(ji)在窗口上)。
6
生物和濕(shi)細胞樣本(ben)的理想承載體。特(te)別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。。
7
耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學反應和退火效應的原位表征。
8
適合做為膠(jiao)體、氣凝膠(jiao)、有機材料(liao)和納米顆粒等的表征實驗承載體。

氮(dan)(dan)化硅(gui)薄膜應(ying)用(yong)范圍非常廣,甚至有時使不(bu)可能變為(wei)可能,但所有應(ying)用(yong)都有無氮(dan)(dan)要求(因樣本中有氮(dan)(dan)存在):
惰性基片(pian)可用于高(gao)溫環境下,通(tong)過TEMSEMAFM(某些(xie)情況下)對反應(ying)進(jin)行動態觀察。
作為耐用基片,首先在(zai)TEM下(xia),然后在SEM下對同一區域進行匹配(pei)
作為耐用匹配基片,對AFM和(he)TEM圖像(xiang)進行比較(jiao)。
聚焦離子束(shu)(FIB)樣本的裝載,我(wo)們*使用(yong)多孔薄膜(mo)(mo),而非不間(jian)斷薄膜(mo)(mo)。


許多研究納米(mi)微粒,特別(bie)是含氮納米(mi)微粒的(de)人(ren)員發現此(ci)種薄膜窗格在他們(men)實驗(yan)中*。氣凝膠和干凝膠的(de)基本組成微粒尺寸極小,此(ci)項研究人(ren)員也同(tong)樣會發現氧化硅(gui)薄膜窗格的(de)價值(zhi)。
優點:
• SEM
應用中,薄(bo)膜背景(jing)不呈(cheng)現(xian)任何結(jie)構和特點。
• x-
射(she)線顯微鏡中,裝載多個分(fen)析樣的*方法。
無氮
高溫應(ying)用,氮化硅薄膜在
1000°C高溫(wen)下仍能保持穩定的(de)性能。

使用(yong)前清潔:
氮化(hua)(hua)硅薄(bo)膜(mo)窗(chuang)格在使用前不(bu)(bu)需(xu)進行額外(wai)清潔。有時薄(bo)膜(mo)表面(mian)邊角處(chu)會(hui)散落個別氧(yang)化(hua)(hua)物或氮化(hua)(hua)物碎片(pian)。由(you)于單片(pian)網格需(xu)要從(cong)整個硅片(pian)中分離,并對外(wai)框(kuang)進行打磨,因(yin)此(ci)這些微(wei)小碎片(pian)不(bu)(bu)可避免。盡管如此(ci),我們相信(xin)這些碎片(pian)微(wei)粒(li)不(bu)(bu)會(hui)對您的實驗產生(sheng)任何(he)影響。

如果(guo)用戶確(que)實需(xu)要對這些碎片進行清理,我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶(rong)液清(qing)潔有機物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶(rong)液清(qing)潔金屬(shu)。

通(tong)常(chang)不能用(yong)超(chao)聲(sheng)波清洗器清潔薄(bo)膜(mo),因超(chao)聲(sheng)波可能使其粉碎性破裂。

 

 

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