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晶圓探針式輪廓儀/臺階儀

簡要描述:P-7晶圓探(tan)針式輪(lun)廓儀(yi)/臺階儀(yi)保持了P-17技術的(de)測(ce)量(liang)性能,并(bing)作為臺式探(tan)針輪(lun)廓儀(yi)平臺提供(gong)了好(hao)的(de)性價比。 P-7可(ke)以對臺階高度(du)、粗糙(cao)度(du)、翹曲度(du)和(he)(he)應(ying)力(li)進(jin)行2D和(he)(he)3D測(ce)量(liang),其(qi)掃描可(ke)達(da)150mm而(er)無需圖(tu)像拼(pin)接。從可(ke)靠性表現來看, P-7具有較好(hao)的(de)測(ce)量(liang)重復性。

  • 產品型號(hao):P7
  • 廠(chang)商性(xing)質:代理商
  • 更新時間(jian):2021-06-01
  • 訪  問(wen)  量:1979
詳(xiang)情介紹
品牌其他品牌價格區間面議
產品種類接觸式輪廓儀/粗糙度儀產地類別進口
應用領域醫療衛生,電子,航天,汽車,綜合

傳感器具有動態力控制,良好(hao)的(de)線性,和精準的(de)垂(chui)直分辨率等(deng)(deng)特性友好(hao)的(de)用戶界面和自(zi)動化(hua)測量可以(yi)適配(pei)大學、研發、生產等(deng)(deng)不(bu)同應用場景。

KLA是全球半導體在線檢測設備市場較大的供應商,在半導體、數據存儲、 MEMS 、太陽能、光電子以及其他領域中有著不俗的市占率。P-7是KLA公司的第八代探針式臺階儀系統,作為晶圓探針式輪廓儀/臺階儀歷經技(ji)術積累和不斷迭(die)代更新(xin),集(ji)合眾多技(ji)術優勢。

二、 功能

晶圓探針式輪廓儀/臺階儀設(she)備特(te)點:  

臺階(jie)高度:幾納(na)米(mi)至(zhi)1000um  

微力恒力控制:0.03mg至(zhi)50mg  

樣品全直(zhi)徑掃描(miao),無需圖像拼接  

視頻(pin):500萬(wan)像素高(gao)分辨率彩色攝像機  

圓弧矯正:消除由于探針的弧形運動引起(qi)的誤差  

生產(chan)能(neng)力:通過測序(xu),模式(shi)識別和SECS/GEM實現全自動化  

主要應用:  

薄膜/厚膜臺階  

刻蝕(shi)深度測量(liang)  

光阻/光刻膠臺(tai)階(jie)  

柔(rou)性薄膜  

表面粗糙度(du)/波(bo)紋(wen)度(du)表征  

表面曲率和輪(lun)廓分析  

薄膜(mo)的2DStress量測  

表面結構分(fen)析  

表面3D輪廓成像  

缺陷表征和分析  

其他多種表(biao)面(mian)分析功能

三、應用案例

臺階高度

   P-7可以(yi)提供納米級到(dao)1000μm的2D和(he)3D臺(tai)階(jie)高度的測(ce)(ce)量(liang)(liang)。 這使其能夠量(liang)(liang)化在蝕刻,濺射(she),SIMS,沉積,旋涂,CMP和(he)其他工藝期間沉積或去除的材料(liao)。P-7具有恒力控制(zhi)功(gong)能,無論臺(tai)階(jie)高度如何都可以(yi)動(dong)態調整(zheng)并施加相同的微力。這保證了良好的測(ce)(ce)量(liang)(liang)穩定性(xing)并且能夠測(ce)(ce)量(liang)(liang)諸如光刻膠的軟性(xing)材料(liao)。

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紋理:粗糙度(du)(du)和波紋度(du)(du)

   P-7提供2D和(he)3D紋理測量并(bing)量化樣(yang)品的(de)粗糙度和(he)波(bo)紋度。軟件(jian)濾鏡功能將測量值分為粗糙度和(he)波(bo)紋度部分,并(bing)計算諸如均方根(RMS)粗糙度之(zhi)類的(de)參數。

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紋(wen)理(li):粗(cu)糙度(du)和波紋(wen)度(du)

   P-7提供2D和(he)3D紋理測量(liang)并(bing)量(liang)化樣品的(de)粗(cu)(cu)糙(cao)度和(he)波紋度。軟件濾(lv)鏡功能將測量(liang)值分為(wei)粗(cu)(cu)糙(cao)度和(he)波紋度部分,并(bing)計算諸(zhu)如均方(fang)根(gen)(RMS)粗(cu)(cu)糙(cao)度之類的(de)參數。

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應力:2D和3D薄膜應力

   P-7能夠(gou)測(ce)量(liang)在(zai)(zai)生產包(bao)含多(duo)個(ge)(ge)(ge)工藝(yi)層(ceng)的(de)半導(dao)體或化合(he)物半導(dao)體器件期間所(suo)產生的(de)應(ying)(ying)力(li)。 使(shi)用(yong)(yong)應(ying)(ying)力(li)卡盤(pan)將樣品支撐在(zai)(zai)中性位置并(bing)精確測(ce)量(liang)樣品翹曲。然后通(tong)過(guo)應(ying)(ying)用(yong)(yong)Stoney方程,利用(yong)(yong)諸(zhu)如薄(bo)膜沉積(ji)工藝(yi)的(de)形狀變(bian)化來計算(suan)應(ying)(ying)力(li)。2D應(ying)(ying)力(li)通(tong)過(guo)在(zai)(zai)直徑達200mm的(de)樣品上(shang)通(tong)過(guo)單次掃(sao)描(miao)測(ce)量(liang),無需圖像(xiang)拼接。3D應(ying)(ying)力(li)的(de)測(ce)量(liang)采用(yong)(yong)多(duo)個(ge)(ge)(ge)2D掃(sao)描(miao),并(bing)結合(he)θ平臺(tai)在(zai)(zai)掃(sao)描(miao)之間的(de)旋轉對整個(ge)(ge)(ge)樣品表(biao)面進行(xing)測(ce)量(liang)。

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缺陷復檢

   缺(que)(que)陷復(fu)查用于測量如劃(hua)痕深度之(zhi)類(lei)的缺(que)(que)陷形貌。缺(que)(que)陷檢測設備(bei)找出(chu)缺(que)(que)陷并將其位置坐標寫入KLARF文(wen)件。“缺(que)(que)陷復(fu)檢”功能讀取(qu)KLARF文(wen)件、對準樣本,并允許用戶(hu)選(xuan)擇缺(que)(que)陷進行2D或(huo)3D測量。

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