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納米壓印膠

簡要描述:公司擁有齊全的納(na)(na)米(mi)系列壓(ya)印(yin)(yin)膠材(cai)料,熱壓(ya)型(xing)(xing)(xing)納(na)(na)米(mi)壓(ya)印(yin)(yin)膠、熱塑型(xing)(xing)(xing)、紫(zi)外光固(gu)化型(xing)(xing)(xing)、紫(zi)外光固(gu)化納(na)(na)米(mi)壓(ya)印(yin)(yin)和光刻兩(liang)用膠、舉離型(xing)(xing)(xing)傳遞層材(cai)料、刻蝕型(xing)(xing)(xing)傳遞層材(cai)料、各種與納(na)(na)米(mi)壓(ya)印(yin)(yin)技(ji)術相關的化學(xue)藥品,如模(mo)板(ban)防粘(zhan)劑、基片增粘(zhan)劑等。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更(geng)新時間:2017-05-14
  • 訪  問  量:1591
詳情介紹

技術參數:

IPNR-T1000 Thermal plastic nanoimprint resist 熱塑型納米壓印膠
IPNR-T2000 Thermal curable nanoimprint resist 熱固化型納米壓印膠
IPNR-PC1000 Photo-curable nanoimprint resist (Free radical initiation) 光固化型(自由基引發)
IPNR-PC2000

Photo-curable nanoimprint resist (cation intiation) 光固化型(陽離子引(yin)發)

IPNR-UL1000 Under-layer polymer for lift off process 舉離型傳遞層材料
IPNR-UL2000 Under-layer polymer etching mask process 刻蝕型傳遞層材料
IPNR-UPM Quick mold fabrication material 快速模板制作材料
IPNR-AP Chlorosilane based adhesion promoter 氯硅烷增粘劑


主要特點:
 

IPNR-T1000 Thermoplastic nanoimprint resist
熱塑型

? Sub-10 nm resolution 分辨率低于10nm
? Low imprint pressure (< 20 bar) 低壓力壓印(< 20 bar)
? Low imprint temperature (< 100 ℃) 低溫壓力(< 100 ℃)

IPNR-T2000 Thermal curable nanoimprint resist
熱固化型

? Sub-10 nm resolution 分辨率低于10nm
? Low imprint pressure (< 1 bar) and Low curing temperature (< 100 ℃) 低壓力壓印(< 1 bar)以及低固化溫度(< 100 ℃)
? Short thermal curing time (< 60 s) 熱固化時間短(< 60 s)
? High O2 Plasma etching resistance 高氧等離子體刻蝕電阻
? Uniform film thickness 均一的膜厚度

IPNR-PC1000 Photo-curable nanoimprint resist (Free radical initiation)
光固化型納米壓印(自由基引發)

? Acrylate functionalized polysiloxane based resist 丙烯酸酯官能化聚硅氧烷抗蝕劑
? Vacuum or Nitrogen atmosphere operation 真空或者氮氣氣氛下操作
? Sub-10 nm resolution 低于10nm的分辨率
? Low imprint pressure (< 1 bar) and ultra-fast curing time (< 10 s) 低壓力壓印以及超快固化時間(< 10 s)
? Low UV-exposure dose 低紫外照射量
? High O2 Plasma etching resistance 高氧等離子體刻蝕電阻
? Uniform film thickness 均一的膜厚度

IPNR-PC2000 Photo-curable nanoimprint resist (cation intiation)
光固化納米壓印蝕劑(陽離子引發)

? Vinyl ether functionalized polysiloxane based resist 乙烯基醚官能化聚硅氧烷抗蝕劑
? Air atmosphere operation 空氣氣氛下操作
? Sub-10 nm resolution 分辨率低于10nm
? Low imprint pressure (< 1 bar) and ultra-fast curing time (< 1 bar) 低壓力壓印(< 1 bar)以及超快固化時間(< 1 bar)
? Low UV-exposure dose 低紫外照射量
? High O2 Plasma etching resistance 高氧等離子體刻蝕電阻
? Uniform film thickness 均一的膜厚度

IPNR-UL1000 Under-layer polymer
舉離型傳遞層材料

? Thermoplastic polymer for lift off process 熱塑聚合物發送過程
? Strong adhesion to up layer resists and substrates 強粘附抗蝕劑層以及材料

IPNR-UL2000 Under-layer polymer
刻蝕型傳遞層材料

? Thermoset polymer for etching mask process 熱固性聚合物刻蝕面罩過程
? Strong adhesion to up layer resists and substrates 強粘附抗蝕劑層以及材料

IPNR-UPM Quick mold fabrication material
快速模板制作材料

? Quick and easy mold fabrication 快速而簡單的塑造材料
? High resolution and low cost 高分辨率以及低成本
? Superb chemical and temperature resistance *的化學性以耐溫性
? Excellent adhesion to mold substrate 塑造優良的附著力基板
? Reliable mold release property 可靠的脫模性

IPNR-AP Chlorosilane based adhesion promoter
氯硅烷增粘劑

? Promoting adhesion between resists and substrates 促進和基材之間的附著力
? Vapor phase or solution processing 氣(qi)相或者(zhe)液(ye)相處(chu)理

 

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