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碳化硅SiC長晶設備

產品簡介

碳化硅SiC長晶設備
是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域。可以生長6/8英寸的晶錠。

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更新時間:2023-06-17
廠商性質:代理商
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碳化硅SiC長晶設備

是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域。可以生長6/8英寸的晶錠。

碳化硅SiC長晶設備

碳化硅SiC長晶設備


真空爐腔系統較為限本底真空值達到≤5.0E-5Pa,升壓率≤3Pa/12h,保證晶體生長的穩定性

.智能化生長及監測系統,實現多種制程精確定制,工藝優化,長晶全過程實時監控,數據可視化存檔

.新型感應加熱線圈設計,有效提高熱場加熱的均勻性和穩定性
.業內1st創的PIM自檢系統,有效減免制程時間浪費
.穩定可靠的水冷系統,實現了水道管路溫度、流量的實時監控,保證了生長室溫場的穩定性
.可生產6英寸P級碳化硅襯底,微管缺陷密度<0.5個/cm2,電阻率達0.015-0.0280


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